1. Beschaffer
1.1.
Beschaffer
Offizielle Bezeichnung: Halbleiterlabor der MPG
Rechtsform des Erwerbers: Organisation, die einen durch einen öffentlichen Auftraggeber subventionierten Auftrag vergibt
Tätigkeit des öffentlichen Auftraggebers: Bildung
2. Verfahren
2.1.
Verfahren
Titel: Beschaffung einer Wafer Bonding Anlage
Beschreibung: Diese Beschaffung betrifft die •Mechanische, thermische und elektrische Verbindung von extern produzierten Anwender-spezifischen integrierten Schaltkreisen (ASICs) mit den hoch-spezialisierten intern entwickelten und gefertigten Strahlungssensoren •Heterogene Integration von photonischen und elektrischen Baugruppen •Verbindung von vorproduzierten thermo-mechanischen Baugruppen mit aktiven Sensoren und ASICs, um ein effizientes material- und platzsparendes thermisches Management bei Detektorsystem zu erreichen. Die dazu notwendige Technologie ist das sogenannte „Wafer bonding“: die Verbindung von zwei Wafern mit polierten Oberflächen entweder direkt oder über andere funktionale Lagen wie SiO2, Metallen oder Polymeren. Die dabei verwendeten Wafer sind entweder •unprozessiert •haben geätzte oder andersartig strukturierte Oberflächen •vorprozessiert mit mehreren Metalllagen •rekonstituierte Substrate mit einzelnen chips, die vorher mittels geeigneter Methoden aufgebracht wurden. Allgemeine Spezifikation der Wafer, bzw. Substrate: •Durchmesser 150mm und 200 mm, Dicke ca. 100 µm bis 1000 µm Der Prozess des Wafer-Bondens soll manuell ablaufen. Die Waferpaare werden manuell in die verschiedenen Teilprozesse geladen. Die wichtigsten drei Prozesse mit den Spezifikationen werden weiter unten aufgelistet. 1.Cavity SOI Bei dieser Anwendung werden zwei Wafer direkt gebondet. Das Ziel ist eine Struktur mit integrierten Mikro-Kühlkanälen Wafer a: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 100 µm - 1000 µm, CMOS mit Multi-metal oder active pixel sensor, Bondseite Si poliert Wafer b: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 500 µm - 1000 µm, Thermisches Oxid beidseitig, Bondseite vorprozessiert mit etwa 300 µm tiefen und 300 µm weiten Kanälen, aktive Bondfläche etwa 75% des Wafers Bond: Bonden in Vakuum bei etwa 100 mbar, Justage über Waferrand, Genauigkeit von +/-100 µm, abhängig von Wafertoleranzen, Bond bei RT, Annealing nach Bond bei T<300 °C, batch annealing Dauer max. 2h, Oberflächenenergie nach Annealing >2 J/cm2, Bond yield >95% bei Randaussschluß von 5mm 2.Unterstützung für dünne Wafer Bei dieser Anwendung werden zwei Wafer über eine zuvor aufgebrachte Polymerlage verbunden. Dabei dient ein dickerer Wafer als Unterstützung eines dünneren Wafers. Wafer a: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke ca. 100 µm, CMOS mit Multi-metal oder active pixel sensor, Bondseite Si poliert Wafer b: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 500 µm - 1000 µm, Die Bondseite wurde zuvor mit einem geeigneten Polymer als Klebelage beschichtet Bond: Justage über Waferrand, Genauigkeit von +/-100 µm, abhängig von Wafertoleranzen , Bond bei RT und minimalem Druck, Annealing nach Bond bei T<300 °C (abhängig von verwendetem Polymer), batch annealing (Dauer abhängig von dem verwendeten Polymer), Oberflächenenergie nach Annealing abhängig von Polymerlage, Bond yield >95% bei Randaussschluß von 5mm 3.Hybrides Bonden Hierbei werden zwei Wafer gebondet, die nach der Verbindung sowohl eine mechanische als auch eine elektrische Verbindung durch geeignete eingelagerte Kupferpads haben. Wafer a: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke ca. 300 µm bis 1000 µm, Bondseite hat vorbehandelte aktive pixel sensoren mit definierten Flächen für die mechanische und elektrische Verbindung Wafer b: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 300 µm - 1000 µm, Zwei Varianten Ganzer CMOS Wafer mit ASICs und dem layout des Wafer a entsprechenden Bondflächen, Trägerwafer auf dem einzelne ASICs face-up aufgebracht wurden, um dann kollektiv mit Wafer a verbunden zu werden Bond: Justagegenauigkeit Wafer zu Wafer von mindestens 1 µm, Bond bei RT, Annealing nach Bond bei T<=300 °C, batch annealing Dauer max. 2 h, Oberflächenenergie nach Annealing >2 J/cm2, Bond yield >95% bei Randaussschluß von 5mm Systemanforderungen: Semiautomatisches Bond-System mit manueller Beladung SEMI S2/S8 Zertifikat; Bondkammer Einfaches und vollständiges Öffnen ohne zusätzliche Werkzeuge Schneller Wechsel zwischen Wafergrößen 150mm und 200 mm (~10 min) Wechsel zwischen Wafergrößen und zwischen den Prozessen ohne Sonderwerkzeug Vakuum System bis 0,1 mbar,Bondkraft regelbar bis 20 kN, Heizung: Aufheizrampe bis zu 30°C/Min, Maximale Temperatur bis zu 450°C, Heizer Temperatur Gleichmäßigkeit <+/-1,2%, Heizer Temperatur Wiederholbarkeit +/-1,0°C, Aktive Wasserkühlung, Bond Chucks Kompatibel zum Bond Aligner , Müssen eine Fixierung beinhalten, welche die Wafer in ausgerichteter Position hält, Zur Maximierung der Bondfläche dürfen die Wafer max. an zwei Stellen mittels Klemmen fixiert werden Systemanforderungen: Plasmaaktiverung Stand-alone semi-automatisches Plasmaaktivierungssystem mit manueller Beladung zur Oberflächenaktivierung für Fusionsbonding Anwendung, Kompatibel für Durchmesser 150 mm oder 200mm, Dual Frequency Plasma mit einstellbarer Matching Einheit, Prozessgase N2, O2, Edelgase, Formiergas N2 mit max. 4%H2, 3 Gase Misch Funktionalität über Rezeptsteuerung, Optionale Kammerdruck Kontrolle < ± 5 % bei Setpoint 0.1 to 1.0 mbar mit kontrollierter Evakuierung und Prozessgasfluss ± 1 % zwischen 20 - 100 %, Siliziumbasierte Beschichtung für Metallionenfreiheit nach SOI Standard , Partikelreinheit nach SOI Standard oAnlage muss kompatibel zu Gesamtprozess sein Systemanforderungen: Reiniger, Bond Aligner und allg. Anforderungen folgen. Referenzen für Stand-alone Aligner lt. angef. Alignmentverfahren mind. 3 Anlagen in den letzten 3 Jahren. Dies ist kein Vergabeverfahren!
Kennung des Verfahrens: 0df4802b-369d-4342-99c2-f19807b10eb1
Interne Kennung: 09-2024_VV
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren mit vorheriger Veröffentlichung eines Aufrufs zum Wettbewerb/Verhandlungsverfahren
2.1.1.
Zweck
Art des Auftrags: Lieferungen
Haupteinstufung (cpv): 31712330 Halbleiter
2.1.2.
Erfüllungsort
Postanschrift: Isarauenweg 1
Stadt: Garching
Postleitzahl: 85748
Land, Gliederung (NUTS): München, Landkreis (DE21H)
Land: Deutschland
2.1.4.
Allgemeine Informationen
Zusätzliche Informationen: AUFRUF ZUM WETTBEWERB INTERESSENSBEKUNDUNG AN ausschreibung@mpp.mpg.de PER E-MAIL BIS SPÄTESTENS 29.04.2024! Zusätzliche allgemeine Anforderungen: Applikationslabor mit Prozess Service Fähigkeit und möglichen Prozesstransfer Möglichkeit zur Produkt- und/oder Prozesstrainings Möglichkeit Wafer für Prozessierung während der Lieferzeit der Anlagen zum Lieferanten zu schicken Referenzen für Stand-alone Aligner lt. angeführten Alignmentverfahren min. 3 Anlagen in den letzten drei Jahren
Rechtsgrundlage:
Richtlinie 2014/24/EU
vgv -
Anzuwendende grenzübergreifende Rechtsvorschrift:
5. Los
5.1.
Los: LOT-0000
Titel: Beschaffung einer Wafer Bonding Anlage
Beschreibung: sh. oben Beschreibung + zu LV: Systemanforderungen: Reiniger Stand-alone semi-automatisches Reinigungssystem mit manueller Beladung für Fusionbonding Anwendungen Kompatibel für Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Prozesskammer aus Polypropylen, Rotationstrocknung bis zu 3000 rpm, Prozesskammer Reinigungsfunktion: DI-Wasser Filter mit 40 nm, Dispense Arm, Motorisierte Bewegung in Z-Richtung im Rezept programmierbar, Motorisierte Rotations-Bewegung im Rezept programmierbar, JetNozzle 2-Stoff Strahldüse (DI-Wasser/Stickstoff N2), DI-Wasser Spül-Leitung, Durchfluss-Monitoring mit digitalem Durchfluss-Messgerät, Partikelneutralität bis auf 150 nm, Integrierte IR-Metrologie Station mit Möglichkeit für direktes Bonden durchzuführen, Inspektion von 150 bzw. 200mm Wafer oder gebondete Waferpaare, Automatisiere Defekterkennung (Bondvoids) über die Anlagensoftware möglich, Systemgestützte Kalkulation der Bondstärke über Maszara Methode, Anlage muss kompatibel zu Gesamtprozess sein Systemanforderungen: Bond Aligner Stand-alone Semiautomatisches Bond-Alignment System mit manueller Beladung Roboterbeladung muss nachträglich erweiterbar sein Wafer-zu-Wafer Justage Genauigkeit min. 1 µm Einfache Erweiterung auf min. 500 nm durch reinen Software upgrade Erweiterbarkeit auf min. 100 nm Genauigkeit durch Hardware upgrade Automatisierter Alignment Prozess Automatisches Scharfstellen der Passmarken beim Trainieren Kontaktlose Keilfehler Kompensation Justage von nicht-infrarot transparenten Wafern Anlage muss kompatibel zu Gesamtprozess sein Kontrollierbare Ausbreitung der Bondwelle durch das einstellbare Ablöseverhalten des Top Wafers vom Top Chuck
Interne Kennung: LOT-0000
5.1.1.
Zweck
Art des Auftrags: Lieferungen
Haupteinstufung (cpv): 31712330 Halbleiter
5.1.2.
Erfüllungsort
Postanschrift: Isarauenweg 1
Stadt: Garching
Postleitzahl: 85748
Land, Gliederung (NUTS): München, Landkreis (DE21H)
Land: Deutschland
5.1.6.
Allgemeine Informationen
Vorbehaltene Teilnahme: Teilnahme ist nicht vorbehalten.
Die Namen und beruflichen Qualifikationen des zur Auftragsausführung eingesetzten Personals sind anzugeben: Noch nicht bekannt
Auftragsvergabeprojekt nicht aus EU-Mitteln finanziert
Die Beschaffung fällt unter das Übereinkommen über das öffentliche Beschaffungswesen
5.1.7.
Strategische Auftragsvergabe
Ziel der strategischen Auftragsvergabe: Keine strategische Beschaffung
5.1.9.
Eignungskriterien
Kriterium:
Art: Eignung zur Berufsausübung
Kriterium:
Art: Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit
Kriterium:
Art: Technische und berufliche Leistungsfähigkeit
5.1.11.
Auftragsunterlagen
Sprachen, in denen die Auftragsunterlagen offiziell verfügbar sind:
5.1.12.
Bedingungen für die Auftragsvergabe
Bedingungen für die Einreichung:
Elektronische Einreichung: Nicht zulässig
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können: Deutsch, Englisch
Varianten: Nicht zulässig
Frist für den Eingang der Interessenbekundungen: 29/04/2024 10:53:00 (UTC+2)
Informationen, die nach Ablauf der Einreichungsfrist ergänzt werden können:
Nach Ermessen des Käufers können alle fehlenden Bieterunterlagen nach Fristablauf nachgereicht werden.
Zusätzliche Informationen: sh. oben
Auftragsbedingungen:
Elektronische Rechnungsstellung: Erforderlich
5.1.15.
Techniken
Rahmenvereinbarung: Keine Rahmenvereinbarung
Informationen über das dynamische Beschaffungssystem: Kein dynamisches Beschaffungssystem
5.1.16.
Weitere Informationen, Schlichtung und Nachprüfung
Überprüfungsstelle: Regierung von Oberbayern Vergabekammer Südbayern
Organisation, die zusätzliche Informationen über das Vergabeverfahren bereitstellt: Halbleiterlabor der MPG
Organisation, die Teilnahmeanträge entgegennimmt: Halbleiterlabor der MPG
8. Organisationen
8.1.
ORG-7001
Offizielle Bezeichnung: Halbleiterlabor der MPG
Registrierungsnummer: t:089323540
Postanschrift: Isarauenweg 1
Stadt: Garching
Postleitzahl: 85748
Land, Gliederung (NUTS): München, Landkreis (DE21H)
Land: Deutschland
Telefon: +49 8932354217
Rollen dieser Organisation:
Beschaffer
Federführendes Mitglied
Organisation, die zusätzliche Informationen über das Vergabeverfahren bereitstellt
Organisation, die Teilnahmeanträge entgegennimmt
8.1.
ORG-7004
Offizielle Bezeichnung: Regierung von Oberbayern Vergabekammer Südbayern
Registrierungsnummer: t:08921762411
Stadt: München
Postleitzahl: 80534
Land, Gliederung (NUTS): München, Kreisfreie Stadt (DE212)
Land: Deutschland
Telefon: +49 8921762411
Rollen dieser Organisation:
Überprüfungsstelle
8.1.
ORG-7005
Offizielle Bezeichnung: Datenservice Öffentlicher Einkauf (in Verantwortung des Beschaffungsamts des BMI)
Registrierungsnummer: 0204:994-DOEVD-83
Stadt: Bonn
Postleitzahl: 53119
Land, Gliederung (NUTS): Bonn, Kreisfreie Stadt (DEA22)
Land: Deutschland
Telefon: +49228996100
Rollen dieser Organisation:
TED eSender
11. Informationen zur Bekanntmachung
11.1.
Informationen zur Bekanntmachung
Kennung/Fassung der Bekanntmachung: be3bed44-29d1-4b36-9bcc-6ffcee114833 - 01
Formulartyp: Wettbewerb
Art der Bekanntmachung: Vorinformation oder eine regelmäßige nicht verbindliche Bekanntmachung als Aufruf zum Wettbewerb – Standardregelung
Datum der Übermittlung der Bekanntmachung: 11/04/2024 11:38:42 (UTC+2)
Sprachen, in denen diese Bekanntmachung offiziell verfügbar ist: Deutsch
11.2.
Informationen zur Veröffentlichung
Veröffentlichungsnummer der Bekanntmachung: 217457-2024
ABl. S – Nummer der Ausgabe: 73/2024
Datum der Veröffentlichung: 12/04/2024