MBE-Sputtering-Dünnschicht- Wachstumsanlage Referenznummer der Bekanntmachung: 2023PGE000002WU
Bekanntmachung vergebener Aufträge
Ergebnisse des Vergabeverfahrens
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Regensburg
NUTS-Code: DE232 Regensburg, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 93053
Land: Deutschland
Kontaktstelle(n):[gelöscht]
E-Mail: [gelöscht]
Fax: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: https://www.auftraege.bayern.de
Abschnitt II: Gegenstand
MBE-Sputtering-Dünnschicht- Wachstumsanlage
Los 1:
Die Universität Regensburg plant in der Fakultät für Physik die Beschaffung eines neuen Clusters bestehend aus Anlagen für Molekularstrahlepitaxie (MBE), einer Aufdampf- bzw. Oxidationsanlage und eines Sputtersystems. Die MBE ist dabei der unter anderem epitaktischen Abscheidung von Materialien mit hohem Schmelzpunkt und niedrigem Dampfdruck (z. B. Pt,Ta,W) sowie von Metallen mit Schmelzpunkten bis 1500°C und Oxiden gewidmet. Es soll dabei ein Multi-Pocket-Elektronenstrahlverdampfer mit Flussratenmessung zum Einsatz kommen, sowie die Möglichkeit geboten werden, das Substrat auf 1000°C heizen und <120K zu kühlen.
Los2:
Die Sputteranlage soll dabei das Abscheiden von antiferro- und ferromagnetischen Materialien, sowie Materialien mit hohem Spin-Hall-Winkel (z.B. Pt, Ta, W) und guter magnetischer Kopplungseigenschaft (z.B. Ru, Ir) zweier magnetischer Lagen übernehmen. Es werden mindestens 8 Sputterquellenflansche für 2“-Sputterquellen benötigt.
Los 1 MBE System
Die Universität Regensburg (Auftraggeber) plant in der Fakultät für Physik die Beschaffung eines neuen Clusters bestehend aus Anlagen für Molekularstrahlepitaxie (MBE), einer Aufdampf- und Oxidationsanlage und eines Sputtersystems. Die MBE-Anlage soll dabei Platz für mindestens 7 Zellen aufweisen, einen Manipulator, der zum Probenheizen (>1000°C) und Kühlen (<120K) geeignet ist, zudem ein RHEED System für in-situ Prozessverfolgung, einen Restgasanalysator, ein ausreichendes, ölfreies Pumpensystem, um das System auf einen niedrigen Basisdruck zu bringen, was durch die Kombination aus Turbomolekular- und Ionen-Getter-Pumpen bewerkstelligt werden soll und eine Quarzwaage zur Flussrateneichung. Zudem soll eine separat gepumpte und eigenständig ausheizbare Zusatzkammer an der Hauptkammer installiert sein, welche einen Multi-Pocket-Elektronenstrahlverdampfer (MPES) einhausen und die Möglichkeit zur Flusskontrolle und -steuerung durch einen cross-beam Quadrupol-Massenanalysator bieten muss. Ein solches Kammersystem hat den Vorteil, dass der MPES befüllt und ausgeheizt werden kann, ohne das Vakuum in der Hauptkammer zu brechen. Zudem soll die MBE einen internen Kühlmantel (Shroud) aufweisen, der die Zellenöffnungen kühlt und den Wärmeeintrag und dadurch die Druckerhöhung beim Betrieb der Verdampferzellen minimiert. Es wird jedoch gefordert, dass dieser Shroud horizontal zweigeteilt ist, wobei beide Teile unabhängig voneinander mit verschiedenen Kühlflüssigkeiten wie Wasser oder Flüssigstickstoff (LN2) betrieben werden können, was die Kosten- und Energieeffizienz solcher Anlagen erheblich steigert. Der Manipulator muss die bestehenden Probenhalter (3-Pin 2"-Probenhalterdesign) aus einer Transferkammer aufnehmen können. Eine halbautomatische Steuerung der Anlage, so dass auch komplexere Schichtfolgen gewachsen werden können, wird ebenfalls gefordert. Zudem wird eine Standard-Effusionszelle heizbar bis 1400°C inkl. steuerbarem Netzgerät und zwei Hochtemperaturzellen bis 1700°C inkl. steuerbarem Netzgerät gefordert.
Los2 Sputtersystem
Beschaffung eines neuen Clusters bestehend aus Anlagen für Molekularstrahlepitaxie (MBE), einer Aufdampf- bzw. Oxidationsanlage und eines Sputtersystems. Die Sputterkammer muss ein UHV-System sein, welches Platz für mindestens 8-Sputterquellen aufweist und mindestens drei verschiedene Prozessgase (Ar, N, O) erlaubt. Der Manipulator muss die Proben auf mindestens 1000°C bei einem partiellen Sauerstoffdruck von >1e-2mbar heizen können und während des Abscheidevorgangs muss die Rotation und das Anlegen einer Vorspannung möglich sein. Die Sputteranlage muss mit mindestens 8 Stück 2-Zoll-Sputterquellen und zwei 750W-DC und zwei 300W-AC Generatoren/Netzteilen und dazu zwei 4-Wege Switchbox ausgestattet sein. Die einzelnen Sputterquellen sollen dabei konfokal angeordnet sein und zudem soll der Neigungswinkel einzelner Sputterquellen in-situ einstellbar sein. Das Sputtersystem muss ausheizbar sein und eine Probenschleuse soll vorhanden sein, welche zudem mindestens 4 Proben auf einmal aufnehmen und in-situ lagern kann. Das System muss darüber hinaus die bestehenden Probenhalter (3-Pin 2“-Probenhalterdesign) aufnehmen können. Eine halbautomatische Steuerung der Anlage, so dass auch komplexere Schichtfolgen gewachsen werden können, wird auch gefordert.
Abschnitt IV: Verfahren
Abschnitt V: Auftragsvergabe
Los 1 MBE System
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Weil der Stadt
NUTS-Code: DE112 Böblingen
Postleitzahl: 71263
Land: Deutschland
Abschnitt V: Auftragsvergabe
Los2 Sputtersystem
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Ansbach
Postleitzahl: 91522
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Telefon: [gelöscht]
Fax: [gelöscht]