Kombinierte PVD-PACVD-Beschichtungsanlage HIPSTER Referenznummer der Bekanntmachung: E_019_250426
Bekanntmachung vergebener Aufträge
Ergebnisse des Vergabeverfahrens
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: München
NUTS-Code: DE212 München, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 80686
Land: Deutschland
Kontaktstelle(n):[gelöscht]
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: https://vergabe.fraunhofer.de/
Abschnitt II: Gegenstand
Kombinierte PVD-PACVD-Beschichtungsanlage HIPSTER
E_019_250426 MalOle-bla Kombinierte PVD-PACVD-Beschichtungsanlage HIPSTER (Hoch Ionisierte Plasmen zur Schichtabscheidung für Tribo-Anwendungen und Materials Engineering)
IWM
Wöhlerstraße 11
79108 Freiburg
Kurzbeschreibung Multifunktionale Beschichtungsanlage mit modernster Quellentechnologie (Arc, HIPIMS, PA-CVD, Ionenquelle). Geforderte Kernkomponenten der Anlage: -Probenheizer bis 250 °C Substrattemperatur für Precleaning -PACVD-Beschichtungsquelle -2 x HiPIMS-Quellen HiPIMS peak current > 1 A/cm²; peak voltage > 1kV; umschaltbar auf HF > 5W/cm² / DC > 6W/cm²; -Ionenquelle/Ionenätzer zur Substratreinigung und ionengestützter Abscheidung (IBAD) -1 x ARC-Quelle -Mindestens 1 Position als 'Reserve', nachrüstbar mit weiterer Quelle -Heizer an einer Magnetron-Quellenposition, Tmax >= 800 °C am Substrat -Einlass für Reaktivgase O2, N2, CH4, H2 -Downstream-Druckregelung über Schieberventil -Prozesskontrolle: glasfaserspektrometrische Beobachtung der Plasmaentladung o.ä., Sichtfenster für optische Beobachtung -Separate Kammer für Schichtanalytik über Ramananalyse, XPS-Analyse o.Ä. (die Analytik selbst ist nicht Bestandteil der Ausschreibung) -Umfangreiche Möglichkeiten zum Substrathandling -Substrat HF-biasfähig, Flächenleistung > 0,5 W/cm² -Software/Steuerung: Erfassung aller relevanten Prozessparameter (Druck- Leistung, Temperatur, etc.); Erzeugung Datenfiles als Excel o.ä.; grafische Darstellung, Schnittstelle der Steuerung zu z.B. Labview
I. 2. Heizer im Kammer 2, analog zu erstem Heizer (Pos 32) II. Rohrmagnetron für eine freie Quellenposition III. in Kammer 2: aktive Kühlmöglichkeit für Substrat während der Arc-Beschichtung, z.B. über ausfahrbaren Kühlfinger. Kann je nach Anlagenkonzept neben dem vorhandenen Heizer oder im Austausch für den Heizer ausgeführt werden IV. weitere HiPims-Quelle, dabei beschichtbare Fläche bis zu 350 mm x 350 mm mit Dickenkonstanz ±5% V. Mimik zum Verfahren der HiPIMS-Quellen zum Einstellen des Abstandes Quelle-Substrat; Verfahrweg mind. 80 mm VI. Zusätzlich in Kammer 1 eine induktiv gekoppelte, impedanzangepasste PA-CVD Quelle, 13,56 MHz mit wassergekühlter Spule, Leistung > 1000 W VII. statt Arc-Quelle: filtered arc-Quelle. Dabei können mehrere kleine Quellen zu einer großen Quelle zusammengefasst werden VIII. Möglichkeit zur Abkopplung von Kammer 3 ohne Vakuumunterbrechung. IX. Weiteres Chargierfahrzeug für planare oder rotationssymmetrische Substrate X. Chargierfahrzeug mit herausnehmbarer Kassette zum erleichterten Handling kleiner Proben, passend zur Transferstange in der Analytik-Kammer
Abschnitt IV: Verfahren
Abschnitt V: Auftragsvergabe
Kombinierte PVD-PACVD-Beschichtungsanlage HIPSTER
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Seligenstadt
NUTS-Code: DE71C Offenbach, Landkreis
Postleitzahl: 63500
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: München
Postleitzahl: 80686
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse: https://www.fraunhofer.de