1. Beschaffer
1.1.
Beschaffer
Offizielle Bezeichnung: Forschungszentrum Jülich GmbH
Rechtsform des Erwerbers: Von einer zentralen Regierungsbehörde kontrolliertes öffentliches Unternehmen
Tätigkeit des öffentlichen Auftraggebers: Bildung
2. Verfahren
2.1.
Verfahren
Titel: W50-42375208 Si (100) Wafer
Beschreibung: Si(100)-Wafer mit Si/SiGe-Heterostrukturen
Kennung des Verfahrens: 17ef5a4e-09d9-4249-ac9f-df81f8c1696e
Interne Kennung: W50-42375208
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren ohne Aufruf zum Wettbewerb
2.1.1.
Zweck
Art des Auftrags: Lieferungen
Haupteinstufung (cpv): 31712114 Integrierte elektronische Schaltungen
2.1.2.
Erfüllungsort
Postanschrift: Leo-Brandt-Straße
Stadt: Jülich
Postleitzahl: 52428
Land, Gliederung (NUTS): Düren (DEA26)
Land: Deutschland
2.1.3.
Wert
Geschätzter Wert ohne MwSt.: 221 000,00 EUR
2.1.4.
Allgemeine Informationen
Zusätzliche Informationen: Gemäß § 39, Abs. 6, Nr. 3 VgV zählt der tatsächliche Preis zu den Informationen, die den geschäftlichen Interessen des Unternehmens schaden könnten. Daher wird in dieser Bekanntmachung lediglich der Schwellenwert angegeben.
Rechtsgrundlage:
Richtlinie 2014/24/EU
vgv -
5. Los
5.1.
Los: LOT-0000
Titel: W50-42375208 Si (100) Wafer
Beschreibung: Si(100)-Wafer mit Si/SiGe-Heterostrukturen
Interne Kennung: W50-42375208
5.1.1.
Zweck
Art des Auftrags: Lieferungen
Haupteinstufung (cpv): 31712114 Integrierte elektronische Schaltungen
5.1.2.
Erfüllungsort
Land, Gliederung (NUTS): Düren (DEA26)
Land: Deutschland
5.1.6.
Allgemeine Informationen
Auftragsvergabeprojekt nicht aus EU-Mitteln finanziert
Die Beschaffung fällt unter das Übereinkommen über das öffentliche Beschaffungswesen: ja
5.1.7.
Strategische Auftragsvergabe
Ziel der strategischen Auftragsvergabe: Keine strategische Beschaffung
5.1.10.
Zuschlagskriterien
Kriterium:
Art: Qualität
Beschreibung: Beschreibung siehe oben.
Beschreibung der anzuwendenden Methode, wenn die Gewichtung nicht durch Kriterien ausgedrückt werden kann: Qualität
Begründung, warum die Gewichtung der Zuschlagskriterien nicht angegeben wurde: Beschreibung siehe oben.
5.1.15.
Techniken
Rahmenvereinbarung:
Keine Rahmenvereinbarung
Informationen über das dynamische Beschaffungssystem:
Kein dynamisches Beschaffungssystem
Elektronische Auktion: nein
5.1.16.
Weitere Informationen, Schlichtung und Nachprüfung
Überprüfungsstelle: Vergabekammer des Bundes
Informationen über die Überprüfungsfristen: gemäß VGV
Organisation, die weitere Informationen für die Nachprüfungsverfahren bereitstellt: Forschungszentrum Jülich GmbH
6. Ergebnisse
Wert aller in dieser Bekanntmachung vergebenen Verträge: 221 000,00 EUR
Direktvergabe:
Begründung der Direktvergabe: Der Auftrag kann nur von einem bestimmten Wirtschaftsteilnehmer ausgeführt werden, da aus technischen Gründen kein Wettbewerb vorhanden ist
Sonstige Begründung: Die Si/SiGe- bzw. ²⁸Si/SiGe-Heterostrukturen sollen mittels Epitaxie auf Si(100)-Wafern gewachsen werden, um den in Abbildung 1 dargestellten Schichtstapel zu realisieren. Die aktive Region des Spin-Qubit-Bauelements besteht aus einer sehr dünnen Si-Schicht, die zwischen zwei Si0.66Ge0.34-Schichten eingebettet ist. Dies führt aufgrund der Verspannung des Siliziums zur Bildung eines Quantentopfs. In diesem Silizium-Quantentopf werden wir mithilfe elektrischer Felder einzelne Elektronen definieren, die als Spin-Qubits verwendet werden sollen. Die elektrischen Felder werden durch Gatter erzeugt, die von unseren Projektpartnern Infineon Dresden und Fraunhofer IPMS CNT auf den Heterostrukturen aufgebracht werden. Für das Projekt ist eine Heterostruktur höchster Qualität erforderlich, um eine möglichst störungsfreie Umgebung für die Spin-Qubits sicherzustellen. Diese Qualität muss vom Auftragnehmer nachgewiesen werden können, sowohl in Bezug auf die strukturellen als auch die elektrischen Eigenschaften der Heterostrukturen. Durch die Zusammenarbeit mit industriellen Partnern wie Infineon Dresden ergeben sich darüber hinaus weitere Anforderungen, die im Folgenden detailliert beschrieben werden. Was sind die Hauptfeatures mit den zwingend notwendigen Ausprägungen des benötigten Leistungsgegenstandes a) Schichtstapel Die Si/SiGe bzw. 28Si/SiGe Heterostrukturen auf 200 mm Si(100) Wafern („Si Substrate“) gewachsen werden. Der detaillierte Schichtstapel wird in Abbildung 1 gezeigt. Die Heterostrukturen sollen eine Pufferschicht („SiGe Buffer“) beinhalten, um die Dichte der Defekte in der aktiven Region zu verringern. Am Ende der Pufferschicht soll eine Si-Konzentration von 66% +/-1% und Ge-Konzentration von 34% +/-1% erreicht werden. Für die Si/SiGe Heterostrukturen soll eine 8 nm +/-1 nm dicke Si-Schicht auf die „SiGe Buffer“-Schicht gewachsen werden. Für die 28Si/SiGe Heterostrukturen soll eine 8 nm +/-1 nm dicke Si-Schicht aufgetragen werden, jedoch unter Verwendung eines 28Si angereicherten Gases mit einer Isotopenreinheit von >99.9 %. Die oberste Schicht der Heterostrukturen besteht aus einer 2 +/-1 nm dicken Si-Schicht („Si-Cap“). Abbildung 1: Schichtstapel und Bezeichnungen der einzelnen Schichten für die zu fertigenden Si/SiGe und 28Si/SiGe Heterostrukturen. b) Stückzahl Zur Erfüllung des Auftrags werden 24 Wafer mit Si/SiGe und 24 Wafer mit 28Si/SiGe Heterostrukturen benötigt. Je ein weiterer Wafer soll zur Charakterisierung beim Auftragnehmer gefertigt werden. c) Kompatibilität Die Heterostrukturen müssen mittels industrieller CVD gewachsen werden und dabei CMOS-kompatibel sein, d.h. keine Kontaminationen beinhalten, welche die Produktion in einer CMOS-Fabrik gefährden würden. Außerdem ist es zwingend erforderlich, dass sie auf 200 mm Si(100)-Substraten produziert werden können, da die Anlagen beim Projektpartner Infineon Dresden keine anderen Wafergrößen handhaben können. d) Strukturelle Charakterisierung Um Rückschlüsse auf die Eigenschaften der Spin-Qubits in Bezug auf die Heterostrukturen zu ermöglichen, soll der Auftragnehmer auch strukturelle und chemische Parameter der Heterostrukturen bereitstellen können. Dies beinhaltet zum Beispiel die Verspannung der Si-Schicht, Nachweise über die Schichtdicken, Grenzflächenschärfe und die Konzentration des Ge im SiGe. e) HB-FET & Magnetotransport Der Auftragnehmer soll die Transporteigenschaften der Heterostrukturen nachweisen können, indem er Hallbar-Feldeffekttransistoren (HB-FETs) auf jeweils einem der Wafer mit Si/SiGe- bzw. ²⁸Si/SiGe-Heterostrukturen fertigt. Dies bietet uns eine bessere Möglichkeit für Rückschlüsse auf die Qubit-Performance. Die HB-FETs sollen bei Temperaturen unter 4K getestet werden. Die Elektronenbeweglichkeit sowie die Perkolationsdichte gelten dabei als entscheidende Parameter zur Bewertung der Qualität der Heterostrukturen im Hinblick auf ihre Eignung für den Einsatz in Qubit-Bauelementen. Daher sind eine möglichst hohe Elektronenbeweglichkeit und eine möglichst geringe Perkolationsdichte anzustreben. Nach unserer Analyse erfüllt das IHP als einzige Einrichtung alle Anforderungen. Ein zusätzlicher Vorteil liegt in der bereits nachgewiesenen Kompatibilität mit der Fertigung bei Infineon Dresden. Darüber hinaus hält das IHP derzeit den Weltrekord für die Elektronenbeweglichkeit in Si/SiGe-Heterostrukturen für Qubit-Bauelemente und weist damit unter allen betrachteten Forschungseinrichtungen die höchste nachgewiesene Heterostrukturqualität auf.
6.1.
Ergebnis, Los-– Kennung: LOT-0000
Status der Preisträgerauswahl: Es wurde mindestens ein Gewinner ermittelt.
6.1.2.
Informationen über die Gewinner
Wettbewerbsgewinner:
Offizielle Bezeichnung: IHP GmbH
Angebot:
Kennung des Angebots: Nr. 94 Rev. l
Kennung des Loses oder der Gruppe von Losen: LOT-0000
Wert der Ausschreibung: 221 000,00 EUR
Das Angebot wurde in die Rangfolge eingeordnet: ja
Konzession – Wert:
Bei dem Angebot handelt es sich um eine Variante: nein
Vergabe von Unteraufträgen: Nein
Informationen zum Auftrag:
Kennung des Auftrags: W50-42375208
Datum der Auswahl des Gewinners: 11/06/2025
6.1.4.
Statistische Informationen:
Eingegangene Angebote oder Teilnahmeanträge:
Art der eingegangenen Einreichungen: Angebote
Anzahl der eingegangenen Angebote oder Teilnahmeanträge: 1
8. Organisationen
8.1.
ORG-0000
Offizielle Bezeichnung: Forschungszentrum Jülich GmbH
Registrierungsnummer: 992-03005FZJ-26
Postanschrift: Wilhelm-Johnen -Str.
Stadt: Jülich
Postleitzahl: 52428
Land, Gliederung (NUTS): Düren (DEA26)
Land: Deutschland
Telefon: +492461613037
Fax: +492461618041
Rollen dieser Organisation:
Beschaffer
Organisation, die weitere Informationen für die Nachprüfungsverfahren bereitstellt
8.1.
ORG-0001
Offizielle Bezeichnung: Vergabekammer des Bundes
Registrierungsnummer: t:0228/9499-0
Postanschrift: Villemombler Str 176
Stadt: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land, Gliederung (NUTS): Bonn, Kreisfreie Stadt (DEA22)
Land: Deutschland
Telefon: +4922894990
Fax: +492289499163
Rollen dieser Organisation:
Überprüfungsstelle
8.1.
ORG-0002
Offizielle Bezeichnung: IHP GmbH
Größe des Wirtschaftsteilnehmers: Mittleres Unternehmen
Registrierungsnummer: DE138996546
Postanschrift: Im Technologiepark 25
Stadt: Frankfurt (Oder)
Postleitzahl: 15236
Land, Gliederung (NUTS): Frankfurt (Oder), Kreisfreie Stadt (DE403)
Land: Deutschland
Telefon: +4933556250
Fax: +493355625222
Rollen dieser Organisation:
Bieter
Gewinner dieser Lose: LOT-0000
8.1.
ORG-0003
Offizielle Bezeichnung: Datenservice Öffentlicher Einkauf (in Verantwortung des Beschaffungsamts des BMI)
Registrierungsnummer: 0204:994-DOEVD-83
Stadt: Bonn
Postleitzahl: 53119
Land, Gliederung (NUTS): Bonn, Kreisfreie Stadt (DEA22)
Land: Deutschland
Telefon: +49228996100
Rollen dieser Organisation:
TED eSender
Informationen zur Bekanntmachung
Kennung/Fassung der Bekanntmachung: 7013de40-55e6-4612-8667-0e7e3e1b90f0 - 01
Formulartyp: Ergebnis
Art der Bekanntmachung: Bekanntmachung vergebener Aufträge oder Zuschlagsbekanntmachung – Standardregelung
Unterart der Bekanntmachung: 29
Datum der Übermittlung der Bekanntmachung: 01/07/2025 11:47:08 (UTC+2) Osteuropäische Zeit, Mitteleuropäische Sommerzeit
Sprachen, in denen diese Bekanntmachung offiziell verfügbar ist: Deutsch
Veröffentlichungsnummer der Bekanntmachung: 426682-2025
ABl. S – Nummer der Ausgabe: 124/2025
Datum der Veröffentlichung: 02/07/2025