Forschungslabor Mikroelektronik Cottbus – Senftenberg für Siliziumbasierte Optoelektronik – ForLab FAMOS Referenznummer der Bekanntmachung: F41_000341
Berichtigung
Bekanntmachung über Änderungen oder zusätzliche Angaben
Lieferauftrag
(Supplement zum Amtsblatt der Europäischen Union, 2021/S [removed])
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber/Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Cottbus
NUTS-Code: DE402 Cottbus, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 03046
Land: Deutschland
Kontaktstelle(n):[gelöscht]
E-Mail: [removed]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: https://www.b-tu.de
Abschnitt II: Gegenstand
Forschungslabor Mikroelektronik Cottbus – Senftenberg für Siliziumbasierte Optoelektronik – ForLab FAMOS
Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse, PECVD System mit Vakuumschleuse und rechnergestütztes Kontaktprofilometer
Die Beschaffung von einem Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse und PECVD System mit Vakuumschleuse dient der Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, die auf Materialintegration (GeSn, SiGeSn, Oxide und 2D-Materialien) auf dem Grundmaterial Si basieren. Gesucht werden erprobte Systeme, da die Ätz- und Beschichtungsprozesse für Forschungszwecke benötigt werden und unmittelbar in Forschungsprojekten eingesetzt werden sollen.
Das Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse dient zur Übertragung lithografisch hochpräzise definierter Nanostrukturen in das darunterliegende Material. Hierzu ist der Einsatz der Ätzgase Cl2, HBr, CHF3, CF4, SF6, Ar, O2 geplant, zudem soll die Anlage die Möglichkeit zur Regulierung der Wafertemperatur über einen großen Temperaturbereich und die Möglichkeit zum Atomic Layer Etching für sehr gute Kontrolle der Ätztiefen, sehr glatte Oberflächen und hervorragende Uniformität bieten. Gesucht wird ein System, das insbesondere hinsichtlich der Strukturierung des Grundmaterials Si erprobt ist. Darüber hinaus soll diese Anlage durch die große Anzahl der Prozessgase für die Strukturierung unterschiedlicher Materialklassen ausgelegt sein.
Ferner ist zur Oberflächenpassivierung bei optoelektronischen Bauelementen ein PECVD System mit Vakuumschleuse nötig, in dem Si-basierte Oxide (auf TEOS-Basis) und Nitrite sowie a-Si abgeschieden werden können. Die Anlage soll die Abscheidung von passivierenden Schichten speziell bei niedrigen Temperaturen ermöglichen.
Zur Bestimmung der Ätztiefen ist ferner ein rechnergestützes Kontakprofilometer erforderlich. Gesucht wird ein erprobtes System zur rechnergestützten zwei- oder dreidimensionalen Vermessung mikroskopischer oder submikroskopischer Oberflächentopografien inklusive passivem Schwingungsdämpfungstisch zur reinraumgeeigneten Aufstellung.
Folgende LOSE sollen vergeben werden:
— Los 1: Trockenätzsystem mit hochdichter Plasmaquelle und Vakuumschleuse,
— Los 2: PECVD System mit Vakuumschleuse,
— Los 3: Rechnergestütztes Kontaktprofilometer.
Um Synergien der Anlagen zu nutzen und Aufwände, insbesondere Kosten, für Wartung zu reduzieren, werden Los 1 und Los 2 nur zusammen vergeben.
Weitere Informationen und Anforderungen entnehmen Sie bitte der Leistungsbeschreibung unter dem Punkt „Vergabeunterlagen“.
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Abschnitt VII: Änderungen
Die Angebotsfrist wird bis zum 19.2.2021, 12.00 Uhr verlängert. Die Angebote werden danach, um 12.01 Uhr, im 4-Augen-Prinzip von der Vergabestelle geöffnet.