Multifunktionales automatisches Messgerät zur Messung von Schichtdicken und Alignmentgenauigkeit beim Waferbonden Referenznummer der Bekanntmachung: IHP-2022-103
Bekanntmachung vergebener Aufträge
Ergebnisse des Vergabeverfahrens
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Nationale Identifikationsnummer: 2022/S 184-518337
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Frankfurt (Oder)
NUTS-Code: DE403 Frankfurt (Oder), Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 15236
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: www.ihp-microelectronics.com
Abschnitt II: Gegenstand
Multifunktionales automatisches Messgerät zur Messung von Schichtdicken und Alignmentgenauigkeit beim Waferbonden
Mit der Anlagen soll die 200 mm Pilotlinie für temporäres und permanentes Waferbonden erweitert werden, um die Prozessqualität und -stabilität im NanoLab zu erhöhen. Folgende Messaufgaben sind unbedingt erforderlich.
- Kontaktlose, zerstörungsfreie Schichtdickenmessung auf 200 mm Siliziumwafern von:
o Voll- und teilflächig
o Verschiedenen Klebern (ca. 2 Müm & ca. 30 Müm)
o Siliziumdicken 10 - 800 Müm
- Alignment-Genauigkeit von 200 mm Siliziumwafern mit Aluminium-Aluminium- und Oxid-Oxid-Bonds
o X-Y-Missalignment
o Rotations-Missalignment
- Optische Kontrolle von Kanten und Strukturen auf 200 mm Siliziumwafern
- Rauheitsmessung von Oberflächen von 200 mm Siliziumwafern
Das Messgerät muss kompatibel mit den bestehenden Prozessen innerhalb der Waferbonding Pilotlinie und der bestehenden BiCMOS Pilotlinie des IHP sein, da die Messprozesse ein Teil einer gesamten Prozesskette sind. Dabei liegt der Fokus auf der Verwendung der Anlagen für zukünftige Forschungsaufgaben, die zum Tei
Mit der Anlagen soll die 200 mm Pilotlinie für temporäres und permanentes Waferbonden erweitert werden, um die Prozessqualität und -stabilität im NanoLab zu erhöhen. Folgende Messaufgaben sind unbedingt erforderlich.
- Kontaktlose, zerstörungsfreie Schichtdickenmessung auf 200 mm Siliziumwafern von:
o Voll- und teilflächig
o Verschiedenen Klebern (ca. 2 Müm & ca. 30 Müm)
o Siliziumdicken 10 - 800 Müm
- Alignment-Genauigkeit von 200 mm Siliziumwafern mit Aluminium-Aluminium- und Oxid-Oxid-Bonds
o X-Y-Missalignment
o Rotations-Missalignment
- Optische Kontrolle von Kanten und Strukturen auf 200 mm Siliziumwafern
- Rauheitsmessung von Oberflächen von 200 mm Siliziumwafern
Das Messgerät muss kompatibel mit den bestehenden Prozessen innerhalb der Waferbonding Pilotlinie und der bestehenden BiCMOS Pilotlinie des IHP sein, da die Messprozesse ein Teil einer gesamten Prozesskette sind. Dabei liegt der Fokus auf der Verwendung der Anlagen für zukünftige Forschungsaufgaben, die zum Teil oben genannt aber zum Teil heute auch noch nicht abgeschätzt werden können. Die Anlagen sollen für 200mm BiCMOS Wafer und für die vorhandenen Waferboxen ausgelegt sein. Die Anlage soll in einem Reinraum der ISO-Klasse 6 (DIN ISO 14644-1) aufgestellt und betrieben werden. Dementsprechend muss die Anlage alle Erfordernisse dafür erfüllen. Die vorhandene Reinraumfläche ist sehr begrenzt. Daher darf der Footprint der Anlage 1,70 m x 1,50 m (+ Servicebereich) nicht überschreiten. Die Ausschreibung beinhaltet die Lieferung der Anlage bis zum Aufstellort.
Abschnitt IV: Verfahren
Abschnitt V: Auftragsvergabe
Multifunktionales Messgerät zur Messung von Schichtdicken und Alignment-Genauigkeit beim Waferbonden
Ort: Bergisch Gladbach
NUTS-Code: DEA2B Rheinisch-Bergischer Kreis
Land: Deutschland
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Potsdam
Postleitzahl: 14473
Land: Deutschland
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Frankfurt (Oder)
Postleitzahl: 15236
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Telefon: [gelöscht]
Fax: [gelöscht]59
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Frankfurt (Oder)
Postleitzahl: 15236
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Telefon: [gelöscht]
Fax: [gelöscht]59