INKO Referenznummer der Bekanntmachung: cis 2021-0028
Bekanntmachung vergebener Aufträge
Ergebnisse des Vergabeverfahrens
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Erfurt
NUTS-Code: DEG01 Erfurt, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 99099
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: www.cismst.de
Abschnitt II: Gegenstand
INKO
Innovation durch Kooperation auf dem Gebiet der Halbleiter-Technologien
Leistung: LPCVD-Anlage (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition)
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH Konrad-Zuse-Straße 14 99099 Erfurt
01 Stck. LPCVD-Anlage (Low-Pressure Chemical Vapour Deposition)
Lieferumfang:
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH benötigt eine Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung von Schichten bei Niederdruck auf doppelseitig prozessierte 4- und 6- Zoll Wafer.
Vorhandene Medien sind:
- Stromanschluss 2-polig mit zusätzlicher Erde, 32 A
- Gase: Stickstoff 6.0, Ammoniak 6.0, Dichlorsilan Ultra Plus, Distickstoffoxid 4.8, Silan 6.0
- Kühlwasserkreislauf
- technische Abluft
- Ethernetanschluss
- Reinstluft für Pneumatik ( > 6 Pa)
- Aufstellfläche + Wartungsbereich 8000 mm x 3700 mm
- Max. Anlagenhöhe: 2800 mm
Die Anlage soll mit den vorhandenen Medien und zusätzlichem TEOS-Modul und Wärmetauscher zu betreiben sein. Prozessdaten sollen über den Ethernetanschluss zu exportieren sein.
Raumplan, mit vorhandenen Medien und Transportwege können auf Anfrage zugestellt werden.
Anlagenbeschreibung:
Technische Daten:
Anforderungen an das Basissystem:
~LPCVD-Anlage für 4-Zoll und 6-Zoll Wafer, Wechsel zwischen den Wafergrößen ohne Umbauten möglich
~Prozessführung:
o 4 Vakuumrohre:
- mit Innenrohren für längere Betriebsdauer und geringeren Wartungsaufwand
- 1x TEOS, mit Partikelfalle
- 2x (spannungsreduziertes) Siliziumnitrid/ HTO, mit Kühlfalle
- 1x (flat) Polysilizium / a-Si
o Grenzparameter:
- Reproduzierbarkeit (Wafer zu Wafer): < +/-3 %
- Charge zu Charge Stabilität: < +/-2 %
o Prozessanforderungen:
TEOS-SiO2-Schicht (120 nm):
- Typische Abscheidetemperatur: 650 °C
- Scheibenhomogenität: < 5 %
- Chargenhomogenität : < 10 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,46+/-0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 60/20
- Natriumionen-Konzentration: <=0,3 x 10e11/cm e2
SiNx-Schicht, temperaturreduziert:
- Typische Abscheidetemperatur: 750 °C
- Scheibenhomogenität: < 3 %
- Chargenhomogenität: < 5 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 2,00+/- 0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/ > 1,6 µm): 50/10
- Ätzrate: < 15 nm/min (HF:50%)
- Pinholes: <= 2 cm e-2
- Durchbruchfeldstärke >=5 MV/cm
- Dichte der festen Oxidladung -2,0 +/- 0,3 x 10e11 cm e-2
- Schichtspannung: -800 bis -1000 MPa
SiNx-Schicht, spannungsreduziert:
- Typische Abscheidetemperatur: 800 °C
- Scheibenhomogenität: < 10 %
- Chargenhomogenität: < 15 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): >= 2,07
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 50/10
- Ätzrate: <11 nm/min (HF:50%)
- Schichtspannung: -300 bis -600 MPa
HTO-Schicht:
- Typische Abscheidetemperatur: 950 °C
- Scheibenhomogenität: < 3 %
- Chargenhomogenität : < 5 %
- Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,44+/-0,02
- Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 50/10
- Ätzrate: < 50 nm/min
(NH4F/50%HF = 30/1, 25+/-1 °C)
- Schichtspannung ca. +100 MPa
Polysilizium-Schicht:
- Typische Abscheidetemperatur: 610 °C
- Scheibenhomogenität: < 4 %
- Chargenhomogenität: < 5 %
- Korngröße bei 450 nm Abscheidung 90-110 nm (bestimmt mit Linienschnittverfahren an REM-Aufnahmen)
~Anforderungen an Wafer-Handling:
o Waferanzahl: 100 6-Zoll-Wafer
o Waferhandling ausschließlich im 6 mm breiten Randbereich (doppelseitig polierte Wafer)
o Kassettenstation, 25 Wafer pro Kassette, e-Pak kompatibel
o Flat aligner
o Vollautomatisches Beladen von Waferkassette auf Boote für 6-Zoll-Wafer
o Teilautomatisches Beladen von 4-Zoll-Wafern
o Boote werden vom Paddle im Rohr abgesetzt, das Paddle ist während des Prozesses nicht im Rohr, dadurch erfolgt keine Abscheidung auf das Paddle
o Möglichkeit Boote vorzubeladen und automatisch zu starten
~Temperaturregelung:
o Länge des Bereichs konstanter Temperatur (Flat Zone): >= 600 mm
o 5 Heizzonen
o Maximale Abweichung der Temperatur in Flat Zone +/- 0,5 °C
o Heizkassetten und Festkörperrelais wassergekühlt um Einflüsse zwischen den Rohren zu verhindern
o Regelung auf Thermoelementen im Rohr
o Bei Bruch eines inneren Thermoelements wird automatisch auf ein äußeres Thermoelement umgeschaltet
o Redundante Temperaturmessung am Rohr
~ EtherCAT Bus-Kommunikation zwischen Komponenten
~ Bereitstellung der Prozessparameter und der Rezepte, die zum erreichen der oben spezifizierten Schichteneigenschaften nötig sind
~ Installation durch die Wand
Anforderungen an die Software:
- Graphische Benutzeroberfläche in deutscher/englischer Sprache
- Prozesssteuerung
- Rezeptorganisation
- Datenexport in grafischer und digitaler Form
- Visualisierung und Analyse von Prozessdaten
- Versionskontrolle
- automatischer Lecktest und MFC-Kalibierung implementiert
Inkl. Zubehör:
- Steuer-PC:
o Schnittstelle zur Anlage
o Mit Anlagensoftware s.o.
o LAN-Anschluss, 1000 Mbit/s
o Betriebssystem Windows 10 Professional, englisch und deutsch
o Monitor, Full HD, 19-Zoll
o Tastatur und Maus
o MS-Office Paket, Version 2019 standard
o Fernwartung durch Remote Access
o NAS-Server zur Speicherung der Rezepte und Prozessdaten. NAS-System mit RAID 1 und 2 x 1 TB Festplatte. Alle Daten auf den Festplatten werden gespiegelt
o Remote Control vom Büroarbeitsplatz
- 2 trockenlaufende Vakuumpumpen, Hersteller Edwards (oder technisch gleichwertige Systeme)
o für TEOS- und Polysilizium - Rohr
o Möglichkeit die Pumpe aus der Ferne zu bedienen und zu überwachen
- TEOS-Kabinett
- Quarzboote für alle Rohre (3° tilt; pitch: 4.76 mm), 2 zusätzliche lange Quarzboote für 4-Zoll Wafer
- Externer Wärmetauscher um das Anlagenkühlwasser von dem Standortkühlwasser zu trennen
- Webcam zur Überwachung der Be- und Entladung der Wafer
- Uninterruptible power supply (UPS)
- Signalampel
- Spülbares Gaskabinett mit Gaslinien und MFCs, mit unabhängigem Sicherheitssystem für jedes Prozessrohr, Gassensoren zur Überwachung von HCl, NH3 und SiH4
- Zweites Steuerungspanel an der Hinterseite der Anlage im Grauraumbereich
- Möglichkeit zum langsamen Anpumpen und Belüften ("softstart")
- Flansch mit Vakuumventil mit Anschlussmöglichkeit für einen Lecksucher am Vakuumsystem
Weiteres: siehe zusätzliche Angaben
Beschreibung der Beschaffung
Weiteres:
- Anlage mit Sicherheitssystem (Interlock), um Hauptgefahren für Leib und Leben abzuwenden, welche unabhängig von der Steuersoftware arbeitet (EN13849-1:2006)
- Anlage beinhaltet Emergency Stop in der Software und mechanische Taster an der Anlage
- Zum Betrieb notwendige Versorgungsaggregate müssen im Lieferumfang der Anlage enthalten sein
- Garantie von 24 Monaten ab Endabnahme der Anlage
- Transport, Versicherung, Zollgebühren, Aufstellung und Installation beim Kunden und Reisekosten sind im Endpreis inklusive
- garantierte Verfügbarkeit von Ersatzteilen von mindestens 10 Jahren
- kostenlose Servicehotline
- schneller Einsatz von Servicetechnikern bei Anlagenausfall (Werkstags 48h+ Anreise)
- Ersatzteil / Servicepaket für zweijährigen Betrieb
- Training für Bediener (5 Tage, bis zu 3 Personen) und Wartungspersonal (2 Tage, bis zu 3 Personen)
Dokumente:
- Bedienungsanleitung für alle Komponenten in deutscher und englischer Sprache
- Installationsvorschrift
- Wartungshandbuch
- Technisches Handbuch
- Angabe von Wartungsintervallen, Wartungskosten, Betriebskosten pro Jahr
- Angabe eines Servicekonzepts
- Dokumentation der OEM-Teile
- CE Kennzeichnung
Expertise
- 3 Referenzen der aktuellen Anlagenkonfiguration
- Nachweis der insgesamt installierten Anlagenbasis >50 Anlagen, davon 50% in Produktion (Auflistung der Anlagen mit Kundenbenennung)
- Veröffentlichungen und Präsentationen zu Prozessergebnissen
- Lieferant weist die technologischen Parameter an einer Demoanlage mit gleicher Ausstattung unter Reinraumbedingungen in Form von Testwafern nach
Liefer- und Anschlussbedingungen:
- Maße des größten gelieferten Einzelteils (ohne Verpackung) L: 2m80, B: 2m20 (bei Überschreitung ist Rücksprache erforderlich)
- Verpackung inklusive
- Versand inklusive
- Transportversicherung inklusive
- Aufstellung inklusive, Einbringung 1. OG
- Installation inklusive
- Inbetriebnahme inklusive
- Anschluss der existierenden Vakuumrohre an die LPCVD-Anlage
- Anschluss der Abluftlinien an die technische Abluft des Standortes
- Anschluss der Prozessgase (Stickstoff, Ammoniak,
Dichlorsilan, Distickstoffoxid, Silan) zur Anlage, mit Lecktest und Partikel- und Feuchtetest, Leitungslängen ca. 5 m
- Elektrischer Anschluss der Anlage
- Elektrischer Anschluss des Wärmetauschers
- Kühlwasser-Leitungen zu Wärmetauscher, ca. 5 m
- Wasserleitungen von Überdruckventil zu Ablauf an Standort, max. 10 m
- Anschluss an Reinstluft, nahe Anlage
- Nachweis der Funktionsfähigkeit aller Komponenten
Mittelherkunft: aus Landesmitteln in Anlehnung an die
Richtlinie des Freistaats Thüringen zur Förderung von Forschung, Technologie und Innovation (FTI-Richtlinie) vom 18.08.2015 (ThürStAnz. Nr. 36/2015 vom 07.09.2015, S. 1494-1512), geändert am 17.12.2018, in Kraft getreten am 18.12.2018 (ThürStAnz. Nr. 3/2019 vom 21.01.2019, S. 201-203)
Vorhabensnr.: 2021 WIN 0028
Abschnitt IV: Verfahren
Abschnitt V: Auftragsvergabe
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Bekanntmachungs-ID: CXP4YENR0RF
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Weimar
Postleitzahl: 99423
Land: Deutschland
"Der Nachprüfungsantrag ist nach § 160 Abs. 3 GWB unzulässig, soweit:
1) der Antragsteller den geltend gemachten Verstoß gegen Vergabevorschriften vor Einreichen des Nachprüfungsantrags erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht innerhalb einer Frist von 10 Kalendertagen gerügt hat; der Ablauf der Frist nach § 134 Abs. 2 GWB bleibt unberührt,
2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden,
4) mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zuwollen, vergangen sind."