Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool Referenznummer der Bekanntmachung: 02.21.O.00
Bekanntmachung vergebener Aufträge
Ergebnisse des Vergabeverfahrens
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Jena
NUTS-Code: DEG03 Jena, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 07745
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: https://www.leibniz-ipht.de
Abschnitt II: Gegenstand
Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 µm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm ≤ ds ≤ 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR≥10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm ≤ ds ≤ 5 µm zu realisieren.
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 µm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm ≤ ds ≤ 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR≥10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm ≤ ds ≤ 5 µm zu realisieren.
6 Optionen (Bitte separat auspreisen)
PE-ALD Modul:
- Zweiter Satz Liner
- Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil
- Prozessieren durch thermische ALD
- Ellipsometrieanalysepaket
- Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung
- Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650 °C
PVD Modul:
- Heizung des Substrattisches ≥ 300 °C
Alternatives PECVD-Modul:
- HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box)
- Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster
- Zweiter Satz Liner
Abschnitt IV: Verfahren
Abschnitt V: Auftragsvergabe
Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Krailling
NUTS-Code: DE21L Starnberg
Postleitzahl: 82152
Land: Deutschland
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Weimar
Postleitzahl: 99423
Land: Deutschland