Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool Referenznummer der Bekanntmachung: 02.21.O.00

Auftragsbekanntmachung

Lieferauftrag

Rechtsgrundlage:
Richtlinie 2014/24/EU

Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber

I.1)Name und Adressen
Offizielle Bezeichnung:[gelöscht]
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Jena
NUTS-Code: DEG03 Jena, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 07745
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: http://www.leibniz-ipht.de
I.3)Kommunikation
Die Auftragsunterlagen stehen für einen uneingeschränkten und vollständigen direkten Zugang gebührenfrei zur Verfügung unter: https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXP4YBRRHS3/documents
Weitere Auskünfte erteilen/erteilt die oben genannten Kontaktstellen
Angebote oder Teilnahmeanträge sind einzureichen elektronisch via: https://www.dtvp.de/Satellite/notice/CXP4YBRRHS3
I.4)Art des öffentlichen Auftraggebers
Andere: eingetragener Verein
I.5)Haupttätigkeit(en)
Andere Tätigkeit: Forschung

Abschnitt II: Gegenstand

II.1)Umfang der Beschaffung
II.1.1)Bezeichnung des Auftrags:

Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool

Referenznummer der Bekanntmachung: 02.21.O.00
II.1.2)CPV-Code Hauptteil
38000000 Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)
II.1.3)Art des Auftrags
Lieferauftrag
II.1.4)Kurze Beschreibung:

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.

Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.

Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.

Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.

— Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.

II.1.5)Geschätzter Gesamtwert
II.1.6)Angaben zu den Losen
Aufteilung des Auftrags in Lose: nein
II.2)Beschreibung
II.2.3)Erfüllungsort
NUTS-Code: DEG03 Jena, Kreisfreie Stadt
Hauptort der Ausführung:

Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.

Albert-Einstein-Straße 9

07745 Jena

II.2.4)Beschreibung der Beschaffung:

Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.

Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.

Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1 nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.

Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.

II.2.5)Zuschlagskriterien
Der Preis ist nicht das einzige Zuschlagskriterium; alle Kriterien sind nur in den Beschaffungsunterlagen aufgeführt
II.2.6)Geschätzter Wert
II.2.7)Laufzeit des Vertrags, der Rahmenvereinbarung oder des dynamischen Beschaffungssystems
Ende: 31/08/2022
Dieser Auftrag kann verlängert werden: nein
II.2.10)Angaben über Varianten/Alternativangebote
Varianten/Alternativangebote sind zulässig: nein
II.2.11)Angaben zu Optionen
Optionen: ja
Beschreibung der Optionen:

Optionen bitte separat auspreisen.

PE-ALD Modul:

— Zweiter Satz Liner,

— Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil,

— Prozessieren durch thermische ALD,

— Ellipsometrieanalysepaket,

— Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung,

— Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650 oC.

PVD Modul:

— Heizung des Substrattisches >= 300 oC.

Alternatives PECVD-Modul:

— HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box),

— Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster,

— Zweiter Satz Liner.

II.2.13)Angaben zu Mitteln der Europäischen Union
Der Auftrag steht in Verbindung mit einem Vorhaben und/oder Programm, das aus Mitteln der EU finanziert wird: nein
II.2.14)Zusätzliche Angaben

Abschnitt III: Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Angaben

III.2)Bedingungen für den Auftrag
III.2.2)Bedingungen für die Ausführung des Auftrags:

— Besonderen Vertragsbedingungen für Lieferleistungen des Leibniz-IPHT Jena,

— Eigenerklärungen gemäß ThürVgG,

— Eigenerklärung für nicht präqualifizierte Unternehmen.

Abschnitt IV: Verfahren

IV.1)Beschreibung
IV.1.1)Verfahrensart
Offenes Verfahren
IV.1.3)Angaben zur Rahmenvereinbarung oder zum dynamischen Beschaffungssystem
IV.1.8)Angaben zum Beschaffungsübereinkommen (GPA)
Der Auftrag fällt unter das Beschaffungsübereinkommen: nein
IV.2)Verwaltungsangaben
IV.2.2)Schlusstermin für den Eingang der Angebote oder Teilnahmeanträge
Tag: 03/08/2021
Ortszeit: 13:00
IV.2.3)Voraussichtlicher Tag der Absendung der Aufforderungen zur Angebotsabgabe bzw. zur Teilnahme an ausgewählte Bewerber
IV.2.4)Sprache(n), in der (denen) Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können:
Deutsch, Englisch
IV.2.6)Bindefrist des Angebots
Das Angebot muss gültig bleiben bis: 12/09/2021
IV.2.7)Bedingungen für die Öffnung der Angebote
Tag: 03/08/2021
Ortszeit: 13:00

Abschnitt VI: Weitere Angaben

VI.1)Angaben zur Wiederkehr des Auftrags
Dies ist ein wiederkehrender Auftrag: nein
VI.3)Zusätzliche Angaben:

Bekanntmachungs-ID: CXP4YBRRHS3

VI.4)Rechtsbehelfsverfahren/Nachprüfungsverfahren
VI.4.1)Zuständige Stelle für Rechtsbehelfs-/Nachprüfungsverfahren
Offizielle Bezeichnung:[gelöscht]
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Weimar
Postleitzahl: 99423
Land: Deutschland
VI.5)Tag der Absendung dieser Bekanntmachung:
29/06/2021

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