Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool Referenznummer der Bekanntmachung: 02.21.O.00
Auftragsbekanntmachung
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Jena
NUTS-Code: DEG03 Jena, Kreisfreie Stadt
Postleitzahl: 07745
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: http://www.leibniz-ipht.de
Abschnitt II: Gegenstand
Kombinierte ALD-PVD/CVD-Beschichtungsanlage als Clustertool
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.
Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.
— Wertungskriterien: technische Spezifikationen 75 %, Preis 25 %.
Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V.
Albert-Einstein-Straße 9
07745 Jena
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e. V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 μm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1 nm <= ds <= 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR>=10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm <= ds <= 5 μm zu realisieren, alternativ auch mittels plasma-gestütztem Gasphasenabscheidungsverfahren (PE-CVD) oder PVD.
Die Anlage soll als Cluster-Tool reinraumtauglich konstruiert und durch die Wand zu installieren sein. Die Bedienung der Anlage erfolgt aus dem Reinraumbereich (ISO-Klasse 5, Weißbereich). Alle Schichtabscheidungen in diesem Cluster sollen mit hoher Reproduzierbarkeit ohne Vakuumunterbrechung kombinierbar, parallel und jeweils auch einzeln ausführbar sein. Es muss eine Homogenität (Schichtdicke, Leitfähigkeit, Brechungsindex) für alle Prozesse von <= 5 % über einer Fläche von 150 mm Durchmesser erreicht werden.
Optionen bitte separat auspreisen.
PE-ALD Modul:
— Zweiter Satz Liner,
— Arbeitsdruckregelung mittels Drosselventil,
— Prozessieren durch thermische ALD,
— Ellipsometrieanalysepaket,
— Absorbersäule zur umweltgerechten Abluftaufbereitung,
— Temperaturerweiterungspaket für Substrattisch bis maximal 650 oC.
PVD Modul:
— Heizung des Substrattisches >= 300 oC.
Alternatives PECVD-Modul:
— HF-Bias Ausrüstung (HF-Generator mit Match Box),
— Endpunktdetektor (Laserinterferometer) mit angepasster Koppelplatte und Sichtfenster,
— Zweiter Satz Liner.
Abschnitt III: Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Angaben
— Besonderen Vertragsbedingungen für Lieferleistungen des Leibniz-IPHT Jena,
— Eigenerklärungen gemäß ThürVgG,
— Eigenerklärung für nicht präqualifizierte Unternehmen.
Abschnitt IV: Verfahren
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Bekanntmachungs-ID: CXP4YBRRHS3
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Weimar
Postleitzahl: 99423
Land: Deutschland