CCS 6x2" (Configuration for Oxide deposition) und CCS 6x2" (Configuration for Nitride deposition) Referenznummer der Bekanntmachung: keine
Bekanntmachung vergebener Aufträge
Ergebnisse des Vergabeverfahrens
Lieferauftrag
Abschnitt I: Öffentlicher Auftraggeber
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Jülich
NUTS-Code: DE Deutschland
Postleitzahl: 52425
Land: Deutschland
E-Mail: [gelöscht]
Telefon: [gelöscht]
Fax: [gelöscht]
Internet-Adresse(n):
Hauptadresse: www.fz-Juelich.de
Abschnitt II: Gegenstand
CCS 6x2" (Configuration for Oxide deposition) und CCS 6x2" (Configuration for Nitride deposition)
CCS 6x2" (Configuration for Oxide deposition) und CCS 6x2" (Configuration for Nitride deposition)
Forschungszentrum Jülich
CCS 6x2" (Configuration for Oxide deposition) und CCS 6x2" (Configuration for Nitride deposition)
Abschnitt IV: Verfahren
- Die betreffenden Erzeugnisse werden gemäß den in der Richtlinie genannten Bedingungen ausschließlich für Forschungs-, Versuchs-, Untersuchungs- oder Entwicklungszwecke hergestellt
Für die Herstellung von hoch komplexen, neuartigen, aktiven Materialien für die Energiespeicherung und -konversion, wie Batteriematerialien und Elektroden für Elektrokatalyse, ist die CVD Technik ein bisher nur wenig beachtetes Forschungsfeld. Dieses innovative Forschungsgebiet der Verwendung von CVD für die Herstellung von Energiematerialien erfordert es, äußerst homogene Mehrschichtsysteme reproduzierbar generieren zu können, die aus mehreren Komponenten und einer großen Zahl unterschiedlicher Elemente bestehen.
Hierzu ist eine extrem präzise Kontrolle der Temperatur und Temperaturverteilung über die gesamte Fläche des Suszeptors genauso wichtig, wie ein einfacher Wechsel zwischen unterschiedlichen Suszeptoren. Weiterhin muss die Zusammensetzung des Gasstroms und die Wachstumsraten präzise kontrolliert werden, um gezielt bestimmte Schichtzusammensetzungen und scharf definierte Schichtübergänge zu erzeugen. Außerdem erfordert die Forschungsarbeit an diesen vielseitigen Materialklassen einen flexiblen Aufbau der CVD Anlage, der bei Bedarf, mit geringem Aufwand für andere Substrate umgebaut oder auf andere Vorgängerverbindungen erweitert werden kann. Gleichzeitig muss die CVD Technologie industriell skalierbar sein, damit vielversprechende Forschungsergebnisse auch skaliert werden können.
Das Aixtron eigene automatische Gap Adjustment (das verwendete Verfahren ist patentiert), während des Prozesses, stellt einen zusätzlichen Prozessparameter zur Verfügung, der es erlaubt, die Vorreaktionszeit und Abscheideraten zu manipulieren. Die Gapbreite als zusätzlicher Prozessparameter ist gerade für Schichten mit komplexer Zusammensetzung und für die Herstellung von Mehrschichtsystemen sehr wertvoll.
Das Temperaturmonitoring wird im System von Aixtron durch die Argus Technologie (Aixtron Patent) mittels einer lückenlosen, radialen Temperaturmessung über die gesamte Substratbreite anstelle punktueller Temperaturinformationen sichergestellt und ermöglicht somit eine extrem präzise Temperaturkontrolle und dadurch die Herstellung sehr homogener Schichten.
Das von Aixtron entwickelte und in die Prozesssteuerung integrierte Episonsystem für das Monitoring der Zusammensetzung des Gasstroms ist dank seines Funktionsprinzip mit Schall für sämtliche Komponenten im Gasstrom geeignet. Dabei ist es den Alternativlösungen, die auf optischen Prinzipien basieren deutlich überlegen, da die Kalibration nicht von stark gefärbten Komponenten und deren optischen Kenngrößen, deren Ermittlung schwierig bis unmöglich sein kann, beeinflusst werden kann. Außerdem kann durch die Integration des Systems in die Prozessführung eine konstante Menge an Vorläufer im Gasstrom sichergestellt werden, auch bei Vorläufern, deren Dampfdruck stark von der Füllmenge des Vorläufers in der Vorlage abhängt.
Die spezielle Showerhead Technologie von Aixtron minimiert den Verlust kostenintensiver Vorläuferverbindungen und ermöglicht maximale Wachstumsraten, die die Leistung der Konkurrenzprodukte übersteigen. Auch das Design des Showerheads ist von Aixtron patentiert worden.
Zusätzlich erlaubt die CVD Anlage von Aixtron den simultanen Anschluss von bis zu 12 unterschiedlichen Vorläuferverbindungen, mit individueller Kontrolle der Verdampfungsmenge, sowie einen einfachen Austausch der Substratträger und Substrate.
Aus den aufgelisteten Gründen haben wir uns für die Beschaffung der CVD Anlagen von Aixtron entschieden, da Aixtron neben standardmäßig verfügbaren Technologien wie Vertikalofen (>800°C), Anschluss an Handschuhbox, Anlagenüberwachung und Abgasnachbehandlung ein einzigartiges, vielfältiges Arsenal zur Prozessüberwachung und -steuerung bietet.
Abschnitt V: Auftragsvergabe
CCS 6x2" (Configuration for Oxide deposition) und CCS 6x2" (Configuration for Nitride deposition)
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Swavesey, Cambridge
NUTS-Code: DE Deutschland
Postleitzahl: CB24 4FQ
Land: Deutschland
Abschnitt VI: Weitere Angaben
Postanschrift:[gelöscht]
Ort: Bonn
Postleitzahl: 53123
Land: Deutschland